开关电源原理简图 下图是开关电源的原理简图，以反激为例！ 设定一下主要参数如下： 输入电压：Vin=AC176-264V 输出电压：Vout=12V Vcc电压：Vcc=15V 变压器匝比：N 下面对上述图片中的各个元器件进行应力计算。 1、整流桥BR1 整流桥如上图体内由4个二极管构成：d1，d2，d3，d4 应最恶劣的情况下是在输入电压最高的时候，即，Vin=264Vac

一张电路图通常有几十乃至几百个，它们的连线纵横交叉，形式变化多端，初学者往往不知道该从什么地方开始，怎样才能读懂它。其实电子电路本身有很强的规律性，不管多复杂的电路，经过分析可以发现，它是由少数几个单元电路组成的。好象孩子们玩的积木，虽然只有十 来种或二三十种块块，可是在孩子们手中却可以搭成几十乃至几百种平面图形或立体模型。同样道理，再复杂的电路，经过分析就可发现，它也是由少数几个单元电路组成的... 阅读详情

开关电源中有几种基础的拓扑，buck拓扑电路、boost拓扑电路以及反激式开关电源等等。这些拓扑既有他们相同之处，也有其独特性。一般，经验丰富的工程师在设计的时候能够根据需求选择适合的拓扑。而对于初学者来说，如何选择合适的拓扑这就非常困难了。因此，就需要我们很好的掌握拓扑的基本特性，这是非常有必要的。这对我们在设计时选择合适的拓扑也是很有帮助的，可以避免因为拓扑选择不当而浪费时间。... 阅读详情

在本系列文章的第一部分，我们讨论了直流增益中偏移电压(VOS)和偏移电压漂移(TCVOS)的结构，以及如何选择具有理想精确度的毫微功耗运算放大器（op amp），从而使放大后低频信号路径中误差最小化。在第二部分中，我们将回顾电流感应的一些基础知识，并介绍如何在提供精确读数的同时，利用运算放大器来实现系统功耗最小化。 电流感应

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR（电力晶体管）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。... 阅读详情

随着电子产品的交互体验的更新迭代，电容触摸按键正扮演着重要的角色，尤其是在家用电器领域，诸如遥控器、开关、电磁炉、电饭锅、洗衣机等此类电器设备。电容触摸按键相对于传统的机械式按键，不会因环境条件的改变或长期使用发生性能变化，具有可穿透、抗干扰能力、防水能力、易于清洗、高灵敏度、高可靠性以及低成本等明显优势。 实际应用中，要实现高稳定性能的电容触摸按键，... 阅读详情