博文分享 | STM32的串口应用总结

cathy 发表于:周四, 01/18/2018 - 09:57 , 关键词:
想写博客已经很久了,但由于项目时间紧,一直没有抽出时间来。不过这些都是借口,主要还是自己太懒。好了不多说了,因为这些天的项目中一直在用串口,所以就从串口开始写起。 首先总结一下串口232,422,485 串口232:可双向传输,全双工,最大速率20Kbps,负逻辑电平,-15V~-3V逻辑“1”,+3V~+15V逻辑“0”。 串口422:可双向传输,4线全双工,2线单工。 串口485:可双向传输... 阅读详情

功率MOSFET的开关损耗:关断损耗

cathy 发表于:周三, 01/17/2018 - 14:55 , 关键词:
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样,有4个阶段,但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示,RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻,RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻,RDown为驱动电路的下拉电阻,关断时栅极总的等效串联栅极电阻RGoff=RDown+RG1+RG2。 图1:功率MOSFET驱动等效电路图2:功率MOSFET关断波形 (1)模式M1:t5-t6... 阅读详情

如何将STM32的调试口设置为普通IO口?

cathy 发表于:周二, 01/16/2018 - 15:41 , 关键词:
背景 最近有一个项目用到了STM32F103RB系列单片机,由于引脚数量较少,不得不使用到了单片机的PB3和PB4两个引脚。而这两个引脚刚好又是STM32系列的JTAG调试引脚,如果要用于普通IO的功能需要先进行一定的设置。 1. STM32的调试方式选择 STM32支持JTAG和SWD两种调试方式,且默认状态下这两种调试功能都是开启的。 由此我们可以知道: 如果要使用JTAG调试功能,... 阅读详情

功率MOSFET的开关损耗:开通损耗

cathy 发表于:周一, 01/15/2018 - 10:39 , 关键词:
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程,也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性,基于上面的这些理论知识,就可以估算功率MOSFET在开关过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗,以及关断过程和和关断损耗。 功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示,RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻,... 阅读详情

共输入电压的DC/DC变换器差频干扰

cathy 发表于:周五, 01/12/2018 - 11:44 , 关键词:
作者:滕俊青,张之也,刘松,丁宇 在笔记本电脑、LCDTV、蓝光DVD以及通讯系统的主板上通常会用到多个非隔离的DCDC变换器或LDO,以得到不同的电压分别给CPU的核及I/O、专用IC及存储器等芯片供电。为了提高系统的效率,通常几个大电流的DCDC变换器直接由输入的直流电压供电。由于DCDC变换器的工作频率高,形成一个很强的骚扰源,会产生很高的开关噪声,... 阅读详情

看了毁你三观的PCB设计理论:高速PCB外层还要不要覆铜了

cathy 发表于:周三, 01/10/2018 - 14:55 , 关键词:
我们经常在教科书上或者IC原厂的PCB设计指南里看到,在layout的最后,我们应当对PCB的外层进行铺铜处理,即用良好接地的铜箔铺满PCB空白区域。 在PCB外层覆铜的好处如下: 对内层信号提供额外的屏蔽防护及噪声抑制 提高PCB的散热能力 在PCB生产过程中,节约腐蚀剂的用量。(这个能降低成本吗? ) 避免因铜箔不均衡造成PCB过回流焊时产生的应力不同而造成PCB起翘变形... 阅读详情

博文分享 | 功率MOSFET选型第一步:P管,还是N管?

cathy 发表于:周二, 01/09/2018 - 14:00 , 关键词:
功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。 1、N沟通和P沟道功率MOSFET结构 图1列出这二种沟道功率MOSFET的结构,都是沟槽型Trench结构。从结构上来看,衬底都是漏极D,但半导体的类型不同:N沟道的漏极是N型半导体,P沟道的漏极是P型半导体。... 阅读详情

好文分享 | 你也可以掌控EMI:EMI基础及无Y电容手机充电器设计

cathy 发表于:周一, 01/08/2018 - 10:17 , 关键词:
目前Y电容广泛的应用在开关电源中,但Y电容的存在使输入和输出线间产生漏电流,具有Y电容的金属壳手机充电器和一些特殊电器会让使用者有触电的危险,因此这些设备的制造商目前开始采用无Y电容的设计,然而摘除Y电容对EMI的设计带来了困难。具有频抖和频率调制的脉宽调制器可以改善EMI的性能,但不能绝对的保证充电器通过EMI的测试,必须在电路和变压器结构上进行改进才能使充电器满足EMI的标准。 1、EMI... 阅读详情

秒懂时钟Part 5: PLL的VCO高通传递函数案例

cathy 发表于:周五, 01/05/2018 - 09:34 , 关键词:
近期我们一直在做一些内部培训,一个常见的问题就是锁相环(PLL)如何以及为什么会根据输入时钟还是VCO(压控振荡器)的不同来处理相位噪声。大多数人都明白,输入时钟相位噪声是抖动衰减的,即PLL起着低通滤波器的作用来输入相位噪声。然而,为什么一个PLL应该像VCO相位噪声的高通滤波器那样工作并不明显。这是PLL的VCO高通传递函数的案例,也是本月的主题。 首先,我将回顾基本的反馈回路及其传递函数。... 阅读详情

高速信号的反射是如何形成的?

cathy 发表于:周四, 01/04/2018 - 09:57 , 关键词:
谈及特性阻抗,我们熟知实际电路中最大功率传输定理是关于负载与电源相匹配时,负载能获得最大的功率的定理。迁移到高速电路中,激励电路特性与传输线特性极大地影响了从一个装置传送到另一个装置信号的完整性。在高速电路中要想把信号能量从源端全部传送到负载,必须使传输线特征阻抗与信号的源端阻抗和负载阻抗匹配,否则信号会发生反射,导致信号波形的畸变。 反射就是在传输线上的回波。信号功率(电压和电流)... 阅读详情

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