三极管

三极管实战中的的三个“判别”

三极管是我们在模拟电路学习中遇到的一个基本而又重要的器件,大家对于这个器件的工作原理一定都不陌生。诸如“高电平导通、低电平截止”、“共射放大电路”、“射极跟随器”等等这些定义也都是我们在学习中经常遇到的。但到了实际工作中,不是仅仅知道这些定义就可以顺利完成任务的,诸如“这个三极管是不是好的?”、“怎么快速判断三极管极性”这些问题是书本中很少介绍的,但又是每一名电子从业者或爱好者应该掌握的。我们就从实战的角度为大家介绍三个必须要掌握的“判别方法”。

一、判别三极管的好坏

我们在电路调试过程中遇到问题时,经常需要判断管子性能是不是好的,这时我们可

以借助三用表来进行判断。将三用表调至电阻档,对三极管的三个管脚两两进行测量,共测量六次,若其中两次可以测到电阻值则说明三极管是好的,其他情况是坏的。

“”

二、三极管类型和引脚判别

三极管和MOS管具体有哪些区别?

1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.
2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。
3、功耗问题:三极管损耗大。
4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。

三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。

新方法讲解三极管工作原理分析!精辟、透彻

随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件,其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。

三极管原理的关键是要说明以下三点

1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。

2、放大状态下集电极电流Ic,为什么会只受控于电流Ib而与电压无关,即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为零。

3、饱和状态下,Vc电位很弱的情况下,仍然会有反向大电流Ic的产生。

很多教科书对于这部分内容,在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书,大多采用了回避的方法,只给出结论却不讲原因。即使专业性很强的教科书,采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当,使讲解内容前后矛盾,甚至造成讲还不如不讲的效果,使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。

传统讲法及问题

开关三极管的使用误区

数字电路设计中,常常需要把数字信号经过开关扩流器件来驱动蜂鸣器、LED、继电器等需要交大电流的器件,用得最多的就是三极管。然而在使用过程中,如果设计不当,三极管就无法工作在正常开关状态,无法达到预期效果。

“”

如图(a)所示,用NPN三极管,蜂鸣器连接到三极管的集电极,驱动信号是常见的3.3V或者5V TTL电平,高电平导通,电阻按照经验值取4.7KΩ,三极管导通时假设高电平为5v,基极电流为:

Ib=(5-0.7)V ÷4.7KΩ = 0.9mA

它可以使三极管完全饱和。

如图(b)所示,用NPN三极管,同样把蜂鸣器连接到三极管集电极,不同的是 是还用的驱动信号是5V的TTL电平。

以上两个电路都可以正常工作,只要PWM驱动信号工作在合适的频率下,蜂鸣器(有源)就会发出最大的声音。

5张动图带你搞懂三极管

三极管的电流放大作用应该算是模拟电路里面的一个难点内容,我想用这几个动画简单的解释下为什么小电流Ib能控制大电流Ic的大小,以及放大电路的原理。

我这里的三极管也叫双极型晶体管,模电的放大电路和数电的简单逻辑电路里面都会用到。有集电极c、基极b、发射极e、以及两个PN结:集电结和发射结。集电极面积比较大,基极厚度薄而且载流子浓度比较低。下图是个NPN型的三极管:

“”

当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门

集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门,如下方动画所示:

三极管做开关,常用到的电容作用

1.开关三极管的基本电路图

负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的回路上,输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open) 与闭合(closed) 动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。

详细的说,当Vin为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管乃工作于截止(cut off)区。

同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管乃工作于饱和区(saturation)。

关于晶体三极管的开关饱和区,MOS管的饱和区就是晶体管的放大区。

晶体三极管的放大是电流关系的放大,即Ic=B*Ib

而MOS管的放大倍数是Ic=B*Ugs,与g、s两端的电压有关系

MOS管的放大倍数比较大,稳定。

【视频】电子电路基础知识--PNP型三极管与恒流源充电电路

本视频将为大家讲解下有关PNP型三极管与恒流源充电电路的详细内容。

【视频】电子电路基础知识--NPN型三极管与恒流源放电电路

本视频将为大家讲解下有关NPN型三极管与恒流源放电电路的详细内容。

电阻、二极管、三极管搭出的各种逻辑电路

有时候我们搭电路时只需要实现一个简单的逻辑,但用一个4门的集成电路来设计未免过于昂贵与占面积,而且IC里没用到的门电路又必须拉高或拉低,相当烦琐。鉴于简化电路的需要我整理了一套用三极管、二极管、电阻组成的逻辑门电路,可实现2输入或3输入的AND,OR,NAND,NOR,EXOR操作。

与非门

三极管放大电路设计步骤详解

设计步骤

1、分析设计要求

电压增益可以用于计算电压放大倍数;最大输出电压可以用于设置电源电压。