晶体管

关于模拟电路,你了解多少?(四)

二极管

以硅(或锗)作为基板,将掺杂了磷和砷的Negative 型半导体(电子不足,空穴较多)和掺杂了硼和镓的Positive 型半导体(电子多余)结合在一起,就称为二极管(PN 结)。

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二极管具有单向导电性(单向导通),因此具备整流作用,即让电流只朝一个方向运动。

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三极管

三极管也称为双极性晶体管,全称叫做双极性结型晶体管,缩写为BJT,因为种具有三个终端,所以俗称为三极管。将P 型、N 型半导体做成三明治状从而形成NPN 结与PNP 结,中间的那层称为基级Base,两侧的称为发射级Emitter或集电极Collector,即三极管,也称为双极性结型晶体管。

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《新概念模拟电路》全书共五册,近50万字,今天上线的是该系列第一本——《晶体管》。

正如杨教授所言:"晶体管对世界的改变,已经持续了几十年,但是这种改变,还远远没有结束。"是的,从几个影响人类半导体科技进程的历史故事,到双极性晶体管与场效应管的工作原理及其在模拟电子领域典型应用的讲解,杨教授都讲的十分生动透彻。

【技术干货】电路入门:关于二极管、晶体管、FET你了解多少呢?

上次我们学习了无源元件,今天我们接着来复习一下半导体以及使用了半导体的有源元件-二极管、晶体管、FET。

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导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体

硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间,用于制造半导体器件的原材料,具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量,并可控制电流动的物质称为半导体。
根据电流流动的构造,可将半导体分为N型和P型两类。

半导体的电流流通原理

(1) N型半导体

晶体管单管大电路三种基本接法比较

在电子电路中,放大的对象是变化量,放大的本质是在输入信号的作用下,通过有源元件(晶体管或场效应管)对直流电源的能量进行控制和转换,使负载从电源中获得的输出信号能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。晶体管放大电路有共射、共集、共基三种接法,场效应管有共源、共漏接法(与晶体管放大电路共射、共集接法相对应)。

【视频】什么时候用MOS ?什么时候用IGBT ?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR(电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

自1980年代中期以来,MOSFET一直是大多数开关电源(SMPS)首选的晶体管技术。当用作门控整流器时,MOSFET是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关,本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。

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十、场效应晶体管

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四、晶体逻辑门:晶体管和布尔逻辑

【技术文章】芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的?

1. 当前CPU上的晶体管已经远远不是千万级别的概念,而是数个billion。

2. 目前最先进的制程工艺是Intel 刚刚公布的14nm工艺,Fin Pitch小于 50nm,可以说是技术上的一个飞跃了。关于所谓的14nm,实际只能初略的反映工艺的一个技术节点,真正的沟道长度要比14nm要长一些。

NXP Semiconductors MRFX1K80射频功率LDMOS晶体管

NXP MRFX1K80射频功率LDMOS晶体管将高射频输出功率与卓越的坚固结构和热性能完美结合。 MRFX1K80晶体管设计用于在65V CW(连续波)时提供1800W功率,适用于1MHz到470MHz的应用,并且能够处理65:1的电压驻波比(VSWR)。