MOS管

带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」

我们打开一个MOS管的SPEC,会有很多电气参数,今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。

热阻,英文Thermal resistance,指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是℃/W或者是K/W。

半导体散热的三个途径,封装顶部到空气,封装底部到电路板,封装引脚到电路板。

结到空气环境的热阻用ThetaJA表示,ThetaJA = (Tj-Ta)/P

其中Tj为芯片结温,Ta为芯片环境温度,如下图所示。

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还有一些其他的热阻参数如下:

ThetaJC=(Tj-Tc)/P,结到封装外壳的热阻,一般而言是到封装顶部的热阻,所以一般的,ThetaJC=ThetaJT

ThetaJB=(Tj-Tb)/P,结到PCB的热阻。

臭名昭著的MOS管米勒效应

如下是一个NMOS的开关电路,阶跃信号VG1设置DC电平2V,方波(振幅2V,频率50Hz),T2的开启电压2V,所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。

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首先仿真Vgs和Vds的波形,会看到Vgs=2V的时候有一个小平台,有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台?

“MOS管Vgs小平台"
MOS管Vgs小平台

带着这个疑问,我们尝试将电阻R1由5K改为1K,再次仿真,发现这个平台变得很小,几乎没有了,这又是为什么呢?

10分钟详细图解MOS管的结构原理

什么是MOS管

如何快速查找MOS管的损坏原因?

Q:什么原因会导致MOS管损坏?

A:导致MOS管损坏的主要原因可总结为五种:雪崩破坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生震荡导致的破坏以及因栅极电涌、静电造成的破坏。

第一种:雪崩破坏

电路设计中三极管和MOS管做开关用时有什么区别?

我们在做电路设计时,三极管和MOS管做开关用时有什么区别?

工作性质:

1、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。
2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。
3、功耗问题:三极管损耗大。
4、驱动能力:MOS管常用于电源开关,以及大电流开关电路。

功率MOS管的这五种损坏模式,你知道几种?

第一种:雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

MOS管为什么失效?离不开这六大原因

MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写,或称金属绝缘体半导体。MOS管的源极和漏极是可以对调的,他们都是在P型衬底中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件性能。所以这样的器件是对称的。

MOS管入门----只谈应用,不谈原理

大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用,指定头大。前几天偶然看见一篇文档《MOS管原理,非常详细》,对MOS管的使用总结的很透彻,所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。

1. 三个极怎么判定

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G极(gate)—栅极,不用说比较好认
S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边

2. N沟道还是P沟道

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箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道

3. 寄生二极管方向如何判定

干货 | MOS管工作动画原理图详解

绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,因此而得名。又因栅极为金属铝,故又称为MOS管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多,可达1010Ω以上,还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单,而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。

三极管和MOS管具体有哪些区别?

1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.
2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。
3、功耗问题:三极管损耗大。
4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。

三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。