MOSFET

功率MOS管的这五种损坏模式,你知道几种?

第一种:雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

主要部件选型:MOSFET栅极驱动调整电路

本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。

MOSFET栅极驱动调整电路:R16、R17、R18、D17

MOSFET器件选型,你需要掌握的3大法则!

俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师,在项目开始之前、器件选型之初,就要做好充分考虑,选择最适合自己需要的器件,才能保证项目的成功。

处理MOSFET非线性电容

自从30多年前首次推出以来,MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进,目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件,它正快速接近一位数字。实现这些改进的两个主要MOSFET技术进展是沟槽栅极和电荷平衡结构[1]。电荷平衡技术最初是为能够产生超结(superjunction)MOSFET的高电压器件而开发的,现在该技术也扩展到更低的电压。虽然该技术大幅度降低了RDSON以及所有的连结电容,但它也使得后者更加非线性化。MOSFET中的有效存储电荷和能量确实减少了,并且是显著地减少了,但是,计算这些参数或比较不同的MOSFET以获得最佳性能,已经成为一项相当复杂的事情。

【安全区】Mosfet :“炸”或“不炸”就看这!

我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。

一、什么是安全工作区?

关于MOSFET驱动电阻该如何选择?

等效驱动电路:

“”

L为PCB走线电感,根据他人经验其值为直走线1nH/mm,考虑其他走线因素,取L=Length+10(nH),其中Length单位取mm。

Rg为栅极驱动电阻,设驱动信号为12V峰值的方波。

Cgs为MOSFET栅源极电容,不同的管子及不同的驱动电压时会不一样,这儿取1nF。

VL+VRg+VCgs=12V

令驱动电流“”

得到关于Cgs上的驱动电压微分方程:“”

资料下载:现代IGBT/MOSFET栅极驱动器,提供隔离功能的最大功率限制

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司

摘要

本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。

贸泽开售STMicroelectronics MDmesh M6高效超结MOSFET

专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的

看完这篇,吃透各类MOSFET电路!

一、功率MOSFET的正向导通等效电路

1)等效电路:

“”

2)说明:

MOSFET电容对LLC串联谐振电路的作用

LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS),MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS,需要满足以下三个基本条件:

1)上下开关管50%占空比,1800对称的驱动电压波形;

2)感性谐振腔并有足够的感性电流;

3)要有足够的死区时间维持ZVS。