很多读者要求介绍一下IGBT内容，这期就论述IGBT基础：结构及特点，下一篇回到MOSFET，介绍完MOSFET相关内容后，再进一步介绍IGBT的数据表。 我们的工程师经常会问到： 穿透型、非穿透型IGBT，这里的"穿透"、"非穿透"是什么含义？IGBT具有不同的内部结构，如穿透型、非穿透型和现在广泛应用的场截止型，以及平面栅结构发展到沟槽栅结构，这些不同的内部结构的IGBT，具有不同的特性，... 阅读详情

最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销STMicroelectronics (ST) STEVAL-FCU001V1评估板，这是一款用于中小型四轴无人机设计的紧凑型飞行控制组件 (F

进入这一部分之前，让我们回顾一下第1部分： 无刷直流电机很酷（可以帮您结交朋友）。 没有人喜欢谈论实际的硬件（但是我打算这么做）。 分立式和集成式栅极驱动器各有优缺点。 我可以整天谈论功能和优点，但工程师想看的是一些真正的电路。在这篇博文中，我将直接比较分立式和集成式栅极驱动架构，展示两者的电路板级差异。 原理图和布局比较的两个关键指标是组件数量和解决方案尺寸。第一个度量标准是：  元件数量。... 阅读详情

全桥电源隔直电容是怎样抑制偏磁的 在网络上关于桥式电源隔直电容的分析与计算的资料比较少，在此咱们一起来简单分析一下。 首先上一个简单的全桥电源开关部分的简图 当全桥电源没有隔直电容如上图 世界上由于任何事务都不能能绝对的一模一样，跟世界上没有两片相同的树叶一样，都有它细微的差别，Q1Q4与Q2Q3的占空比也是一样也会存在微小的差异。 全桥拓扑Q1Q4和Q2Q3是交替导通的，... 阅读详情

电阻，英文名resistance,通常缩写为R,它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关。欧姆定律说，I=U/R,那么R=U/I,电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“Ω”表示，有这样的定义：导体上加上一伏特电压时，产生一安培电流所对应的阻值。电阻的主要职能就是阻碍电流流过。事实上，“电阻”说的是一种性质，而通常在电子产品中所指的电阻，是指电阻器这样一种元件。师傅对徒弟说：“... 阅读详情

见过很多初学者对PIC16系列单片机的ID码的读和写犯迷糊。说实话，这方面的资料也不怎么全。有些教材可能会涉及ID区域的介绍，可是往往是一代而过。这对初学者来说是比较容易犯错的地方。今天有空，对相关的问题作了一些整理，分享给大家。可能有些地方说的不够妥当，欢迎大家多多探讨。 1.什么是ID区域? ID区域是独立于EEPROM，FLASH，RAM的区域。程序设计人员可以利用该区域存放软件的版本号，... 阅读详情

作者：Robert Taylor，德州仪器 微处理器和专用集成电路（ASIC）需要低电压、大电流电源。这些电源通常对输出电压偏差有非常严格的要求，尤其是对负载瞬态事件。对设计人员而言，测试这些电源可能会面临许多挑战，并且难以确认是否符合特定规格。 本文将解答负载瞬态测试的相关问题，并介绍可在苛刻条件下简化测试的一些方法。 为了正确设计电源，您首先需要了解所有的瞬态参数，以及它们如何应用于测试。... 阅读详情