博客

功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。 1、N沟通和P沟道功率MOSFET结构 图1列出这二种沟道功率MOSFET的结构，都是沟槽型Trench结构。从结构上来看，衬底都是漏极D，但半导体的类型不同：N沟道的漏极是N型半导体，P沟道的漏极是P型半导体。... 阅读详情

近期我们一直在做一些内部培训，一个常见的问题就是锁相环（PLL）如何以及为什么会根据输入时钟还是VCO（压控振荡器）的不同来处理相位噪声。大多数人都明白，输入时钟相位噪声是抖动衰减的，即PLL起着低通滤波器的作用来输入相位噪声。然而，为什么一个PLL应该像VCO相位噪声的高通滤波器那样工作并不明显。这是PLL的VCO高通传递函数的案例，也是本月的主题。 首先，我将回顾基本的反馈回路及其传递函数。... 阅读详情

开关MOS管DS波形到底能得出多少信息？ 我们一起来分析一下 先上一个开关MOS的DS波形 假设在一台数字示波器上只看到这一点波型,知道变压器电感量为1mH, 通过从示波器上测量和计算,得出下列数值(只讲解方法就行了) 1)大约的交流输入电压值 2)次级反到初级的电压 3)占空比 4)变压器漏感 5)变压器和MOS的总杂散电容 6)变压器传送的能量 明显反激,而且是断续模式 刚开始是漏感震荡,... 阅读详情

引言 许多初学者对二极管很“熟悉”，提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性，说到它在电路中的应用第一反应是整流，对二极管的其他特性和应用了解不多，认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性，就能分析二极管参与的各种电路，实际上这样的想法是错误的，而且在某种程度上是害了自己，因为这种定向思维影响了对各种二极管电路工作原理的分析，许多二极管电路无法用单向导电特性来解释其工作原理。... 阅读详情

很多读者要求介绍一下IGBT内容，这期就论述IGBT基础：结构及特点，下一篇回到MOSFET，介绍完MOSFET相关内容后，再进一步介绍IGBT的数据表。 我们的工程师经常会问到： 穿透型、非穿透型IGBT，这里的"穿透"、"非穿透"是什么含义？IGBT具有不同的内部结构，如穿透型、非穿透型和现在广泛应用的场截止型，以及平面栅结构发展到沟槽栅结构，这些不同的内部结构的IGBT，具有不同的特性，... 阅读详情

当我写这篇文章正值感恩节。从技术角度来说，我感谢的前几代工程师为我们这个行业奠定了基础，为当代的工程师提供了培训，指导或其他方面的机会。这让我想起了一个特别的话题――拆分终端（The Split Termination）。 拆分终端 这个月，我想就Timing Knowledge Base板块的“Terminating Differential Transmission Lines... 阅读详情

通常在讨论这两种工作模式的时候，所指的是理想的电压模式和电流模式。然而，在实际的应用中，电压模式的开关电源系统，即系统反馈环中没有引入电流取样信号，但也会采用其它的方式引入一定程度的电流反馈，电压模式向电流模式转变，从而提高系统动态响。 1、电压模式输出电容ESR取样形成平均电流模式 理想的电压模式在一定的反馈网络参数下，很难在整个电压输入范围和输出负载变化范围内都能稳定的工作。... 阅读详情