TI

在集成电路中，场效应管（FET）无疑是电流控制元件中的一大明星。当今电子设备正不断朝着高度集成、快速运行的方向发展，这对FET的体积和速度提出了更高的要求。此外，随着5G、快速充电等消费电子新技术得到普及，以及无人驾驶等高新尖端科技如火如荼地发展，电子元件需要更好地满足高能效、高速、高频率等要求，这正是GaN技术崭露头角的机会。

贸泽电子（Mouser Electronics）即日起开始备货Texas Instruments（TI）LMG1210 200V 半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓（GaN）电源产品系列，与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率与功率密度，以及更小的整体系统尺寸，并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。

在当今全球市场竞争激烈的环境中，高效的工业生产往往取决于速度。如何可靠、安全而稳定地连接工厂每个自动化系统显得尤其重要！

提起美国德州，你的脑海中闪现过什么？是勇武彪悍的牛仔、激烈的西部枪战还是广袤的西部沙漠？

如图1所示，电动汽车（EV）的基本传动系统由三个系统模块组成。

电池组是由多个电池（通常是纯电动汽车中的锂离子电池）组成的阵列，可产生高达数百伏的电压。电池组的电压取决于电动汽车的系统需求。

轻松同步所有板载输出，节约设计时间

贸泽电子(Mouser Electronics) ，持續专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型，宣布即日起备货Texas Instruments (TI) 的AM571x Sitara应用处理器。此款基于ARM® Cortex® 技术的处理器工作效率高，可满足现代嵌入式应用对于处理性能的迫切需求，其中包括工业通信、人机界面(HMI)、自动化和控制等多种应用。

相较于先前使用的硅晶体管，氮化镓（GaN）可以让全新的电源应用在同等电压条件下以更高的开关频率运行。这意味着在相同条件下，GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。

解锁氮化镓GaN技术的多种应用

Texas Instruments LMG5200 80V GaN半桥功率级借助增强模式氮化镓 (GaN) FET提供了一套集成功率级解决方案。 该器件包含两个80V GaN FET，它们采用半桥配置并由一个高频GaN FET驱动器驱动。 GaN FET在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容CISS也非常小。

大多数的人已经了解了GaN在开关速度方面的优势，及能从这些设备中获得的利益。缩小功率级极具吸引力，而更高的带宽则是锦上添花！假设您拥有可使车速达到200英里/小时的汽车轮胎，但您的车只有60英里/小时的悬架、制动和转向系统，这时，我们需要的是GaN驱动程序，不仅可以处理速度和传播延迟，也可以帮助GaN设备自身优化。