相较于先前使用的硅晶体管，氮化镓（GaN）可以让全新的电源应用在同等电压条件下以更高的开关频率运行。这意味着在相同条件下，GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。
解锁氮化镓GaN技术的多种应用
这种技术能够影响到您插入到墙上电源插座中的任何设备，例如个人电脑适配器、音频/视频接收器和数字电视。由于插墙式适配器占用了很多空间且不太美观，而它们因发热所浪费的电量也不可小视，GaN却可以在很大程度上缓解这些问题，并节省电费。
在音频应用中，性能会被无意中传入音频信号的电噪声所影响。GaN的较低电容可通过最大程度地减小寄生振铃并优化转换次数来将失真降到最低，从而有助于尽可能地减少噪音。
未来，GaN将在功率密集的地方找到用武之地，因为它能够在保持或提升效率的同时，使电源更小巧。目前，GaN正被设计用于电子电源，电子电源将电力在交流和直流形式之间进行转换，改变电压电平并执行多种功能，以确保清洁电力的可用性。
在数据中心和服务器中，GaN减少了为云端供电的电源损耗。此外，GaN在缩小电源解决方案尺寸方面所具有的能力将腾出空间供更多处理器、存储器或存储使用。
TI开启氮化镓技术新革命
TI LMG5200这款全集成式原型机可帮助工程师轻松地将GaN技术融入到电源解决方案中，从而进一步突破对常规功率密度预期的限值。基于数十年的电源测试专业知识，TI已对GaN进行了数百万小时的加速测试，并建立了一个能够实现基于GaN电源设计的生态系统。
LMG5200的与众不同之处
LMG5200原型机由一个高频驱动器和两个半桥配置的GaN场效应晶体管组成，这一切都采用了易于使用的四方扁平无引线(QFN)封装，并且能帮助电源设计人员迅速发挥这种材料的真正优势。
为了给GaN创造广阔的市场发展空间，TI致力于帮助客户简化这款产品的使用性，并优化其性能。我们深知，通过将GaN FET与高性能驱动器进行共同封装，我们能够在一个模块中提供不可思议的性能。
同时，TI也力求使GaN设备更加智能。TI一直努力让设备变得更智能，以降低解决方案的复杂性，让我们的客户能够专注于那些能够实现最大价值的领域。
为此目的，TI推出了LMG5200，使客户能够将GaN轻松融入到电源解决方案中，并充分利用GaN所具有的优势。
研发全新的更高电压架构以降低配电损耗，并充分利用GaN实现更低电压的一步转换，是目前行业发展的趋势，在未来的几年中，GaN将会提供更大输出功率的同时减小适配器尺寸。今后，TI的产品将更多用于多种汽车、工业和无线充电产品中，并为它们提供更多的性能，并帮助客户找到创造性的方式，让设备变得更为高效，从而为其提供更广阔的市场发展空间。
