16. 画小板时,在小板引脚的90度拐角处增加一个圆形钻孔,方便组装。如图:
![“”](http://mouser.eetrend.com/files/2019-01/博客/100017343-58399-y1.jpg)
![“实物图”](http://mouser.eetrend.com/files/2019-01/博客/100017343-58410-y2.jpg)
![“实际组装图”](http://mouser.eetrend.com/files/2019-01/博客/100017343-58411-y3.jpg)
这样做可以使小板与 PCB 大板之间紧密贴合,不会有浮高现象。
17. 电路设计,肖特基的散热片可以接到输出正极线路,这样铁封的肖特基就不用绝缘垫和绝缘粒。
18. 电路调试,15W 以上功率的 RCD 吸收不要用 1N4007,因为 1N4007 速度慢 300uS,压降也大1.3V,老化过程中温度很高,容易失效造成炸机。
19. 电路调试,输出滤波电容的耐压致少需符合1.2倍余量,避勉量产有损坏现象。
之前是犯了这个很低级的错误,14.5V 输出用16V 耐压电容,量产有1%的电容失效不良。
20. 电路设计,大电容或其它电容做成卧式时,底部如有跳线需放在负极电位,这样跳线可以不用穿套管,节省成本。
21. 整流桥堆、二极管或肖特基,晶元大小元件承认书或在 BOM 表要有描述,如67mil(理由:管控供应商送货一致性,避免供应商偷工减料,影响产品效率)。
令人烦恼的就是供应商做手脚,导致一整批试产的产品过不了六级能效,原因就是肖特基内部晶元用小导致。
22. 电路设计,Snubber 电容,因为有异音问题,优先使用 Mylar 电容,这是处理异音的方法之一。
23. 电路设计,启动电阻如果使用在整流前,要加串一颗几百 K 的电阻。电阻短路时,不会造成 IC 和 MOSFET 损坏。
24. 电路设计,高压大电容并一颗103P 瓷片电容位置,理由:对辐射30-60MHz 都有一定的作用。空间允许的话,可以给 PCB Layout 留一个位置,方便 EMI 整改。
25. 在进行 EMS 项目测试时,需测试出产品的最大程序,直到产品损坏为止。
例如 ESD 雷击等,一定要打到产品损坏为止,并做好相关记录,看产品余量有多少,做到心中有数。
26. 电路设计,异常测试时,短路开路某个元件如果还有输出电压则要进行 LPS 测试,过流点不能超过8A(超过 8A 是不能申请 LPS)。
![“电路图”](http://mouser.eetrend.com/files/2019-01/博客/100017343-58412-y4.jpg)
27. 安规开壳样机,所有可选插件元件要装上供拍照用,L、N 线和 DC 线与 PCB 要点白胶固定。
这个是经常犯的一个毛病,经常一股劲的把样品送到第三方机构,后面来来回回改来改去的。
28. 电路调试,冷机时 PSR 需1.15倍电流能开机,SSR 需1.3倍电流能开机,避免老化后启动不良。PSR 现在很多芯片都可以实现 “零恢复” OCP 电流,比如 ME8327N,具有 “零恢复” OCP 电流功能。
29. 电路设计,请注意使用的 Y 电容总容量,不能超过222P, 因为有漏电流的影响。针对不同安规,漏电流要求也不一样,在设计时需特别留意。
30. 反激拓补结构,变压器 B 值需小于3500高斯,如果变压器饱和一切动作将会失控,如下左图为正常,右图为饱和。
![“”](http://mouser.eetrend.com/files/2019-01/博客/100017343-58413-y5.jpg)
![“”](http://mouser.eetrend.com/files/2019-01/博客/100017343-58414-y6.jpg)
变压器的磁饱和一定要确认,重中之重,这是首条安全性能保障,包括过流点的磁饱和、开机瞬间的磁饱和、输出短路的磁饱和、高温下的磁饱和、高低压的磁饱和。
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