本视频将向您介绍Vishay TrenchFET 第四代顶侧双面冷却MOSFET的内容。
Vishay TrenchFET®第四代顶侧双面冷却MOSFET可进行顶侧冷却，另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK® SO-8DC封装。TrenchFET双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。TrenchFET MOSFET可用于各类特定产品应用，包括同步整流、直流/直流转换、电源、电池管理等。
特性
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TrenchFET® 功率MOSFET
- 采用顶侧冷却，另外还提供其他导热位置
- 100%通过Rg和UIS测试
- PowerPAK SO-8DC封装
规范
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漏源击穿电压：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V
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工作温度范围：-55°C至150°C
应用
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同步整流
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直流/直流转换器
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SiDR626DP、SiDR638DP、SiDR668DP、SiDR680DP和SiDR870ADP：
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电机驱动控制
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电池和负载开关
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SiDR140DP、SiDR390DP、SiDR392DP和SiDR402DP：
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OR-ing
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负载开关
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高功率密度直流/直流器件
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SiDR610DP：
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电源
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D类放大器
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SiDR622DP：
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一次侧开关
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H桥
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