1）电磁兼容风险 EMC risk
产品因设计而导致出现电磁兼容问题的概率，在测试环境下为通不过电磁兼容测试的概率。
2）AC-DC转换器 AC-DC CONVERTER
一个把交流电转到直流电的器件，通常是指离线转换器，当中交流电压被整流为直流电，或包括功率因素校正或其它功能。
3）桥式转换器 BRIDGE CONVERTER
桥式转换器是直流—直流转换器的一种电路结构。在功率变压器两端的桥式结构中，采用两或四只有源开关器件。
4）电源转换器 POWER CONVERTER
利用电感及电容滤波配合高频开关作用，而将直流输入电压转换为不同直流输出电压的电路。
5）DC-DC转换器 DC-DC CONVERTER
把直流电从一个电压转换到另一个电压的电路。
6）DC-DC电源 DC-DC POWER SUPPLY
供一个或多个直流输出电压的电源系统。
7）安全超低电压 SAFETY EXTRA LOW VOLTAGE （SELV）
安全机构将该电压定义为：人员可以触及幷且不会引起伤害的最高电压，该电压的数值为30Vac或42.4Vdc。
8）次级 SECONDARY
隔离电源的输出部分。该部分与交流电源隔离，因而保证人员在带电系统中工作时的安全。
9）初级 PRIMARY
隔离电源的输入部分，它接到交流电源，因此带有危险的高电压。
10 开关频率 SWITCHING FREQUENCY
在开关电源中，直流电压接通和关断的速度。
11）X-电容器 X-CAPACITOR
为短路两导线间的干扰电压而接在两电源线间的电容器。
12）Y-电容器 Y-CAPACITOR
电源转换模块一般要求在线与底盘(大地)间加上旁路电容，以旁路共模噪声及局限其于转换器内。但当转换器在交流整流电压工作，而旁路电容损坏时，则可能引致严重漏电至电器底盘，触发接地故障及触电危机。固此，需使用一类专门应用的电容(称为Y-电容)。此等电容内置一种“自行痊愈”之介质特性，可避免过量漏电。要符合EMC要求，怀格建议采用Y-电容于所有转换模块。Y-电容符合IEC384-14、IEC132400及UL1283标准。
13）逆变器 Inverter:
一种输入为直流输出为交流的电源。
14）PWM: 脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation).
一种开关电源使用的电压调整方法,指仅通过改变脉冲序列的宽度控制输出。
15）风险评估值 risk assessmentvalue
采用定性和定量方法等到的用来表达风险大小的量值，通常在0-100之间。
16）共模电流 common-mode current
指定“几何”横截面穿过的两根或多根导线上的电流矢量和。
[GB/T 6113.201-2018，定义3.1.14]
17）共模干扰 common-mode interference
干扰电压在信号线及其回线（一般称为信号地线）上的共模电压引起的电磁干扰，方向相同。
注1：共模干扰电压以附近任何一个物体（大地、金属机箱、参考地线板等）为参考电位，其干扰电流回路则是在导线（信号线及其回线）与参考物体构成的回路中流动。
注2：共模干扰在信号线与参考地之间传输，属于不对称性干扰。
18）差模干扰 differential-mode interference
作用于信号线和信号回线之间的差模电压引起的电磁干扰，其作用于信号回路时，在信号线及其信号回线上幅度相等，方向相反。
注1：主要由空间电磁场的耦合感应及共模干扰被不平衡电路转换后形成，这种干扰加载于有用信号上，直接影响测量与控制的精度。
注2：差模干扰在信号线及其回线之间传输，属于对称性干扰。
19）机械架构 architecture
组成电子电气设备的各个部件在产品中的相对位置。
20）电路原理图 electrical circuit schematic diagram
一种表达电路连接关系的图。
21）印制电路板 printed-circuitboard，PCB
电子元器件的支撑体，并提供电子元器件电气连接。由于它是采用电子印刷术制作的，故又被称为“印刷”电路板。
22）接地[参考]平面 ground (reference)plane
一块导电平面，其电位用作公共参考电位。
23）寄生电容 parasitic capacitance
分布在导线、线圈和机壳等导电体之间以及某些元件之间的非期望分布电容。
注：其数值虽小，却是引起共模干扰的重要原因。
24）高速信号 high-speed signal
对数字信号而言，由信号的边沿速度决定，一般认为信号上升/下降时间小于4倍信号传输时延的信号。
25）“脏”信号/电路 “dirty” signal/electrical circuit
包含容易被外部干扰注入或产生电磁发射的信号或元器件的信号/电路，如：与I/O电缆互连并处在滤波电路之前的信号线和元器件；被施加于产品壳体表面的ESD击穿放电的信号线。
26）“干净”信号/电路 “clean” signal/ electricalcircuit
包含既不容易受到干扰也不会产生明显EMI噪声的信号或元器件的信号/电路。
27）特殊信号/电路 special signal/ electricalcircuit
包含因EMC性能而需要特殊处理的信号或元器件的信号或电路，分为特殊噪声信号/电路和特殊敏感信号/电路。
28）噪声信号/电路 noise signal/ electricalcircuit
在电磁兼容领域里，包含易产生电磁发射骚扰的信号或元器件的信号/电路，如：时钟信号线、PWM信号线、晶振等。
29）敏感信号/电路 sensitive signal/ electrical circuit
在电磁兼容领域里，包含易被电磁干扰的信号和元器件的信号/电路，如：低电平的模拟信号线或元器件。
30）EMC理想模型 EMC ideal model
不产生任何EMC风险的产品设计模型。
31）“0V”工作地 “0 V”ground plane
PCB中用平面来实现工作地布置的导电金属体。
32）连接器位置 Connector position, CP
电缆连接器在电路板中的相对位置,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素A；
33）电缆屏蔽 Cable shielding, CS
屏蔽电缆的屏蔽效能或屏蔽层的搭接,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素B；
34）端口EMC装置 input/output EMC device, I/O-ED
PCB外部的电源和信号输入端口的滤波和防护，包括因EMI而需要的滤波和因EMS而需要的滤波和防护,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素C，包括C1和C2;
35）端口EMS装置 input/output EMS device,I/O-ESD
PCB外部的电源和信号输入端口因EMS而需要的滤波和防护，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素C1;
36）端口EMI装置 input/output EMI device,I/O-EID
PCB外部的电源和信号输入端口因EMI而需要的滤波，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素C2;
37）电路板接地 PCB grounding ,PG
PCB板的“0V”工作地与金属壳体之间的互连（存在互连时）,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素D；
38）电路板间地互连 Grounding Connectingbetween PCB GCBP
不同PCB板之间的“0V”工作地的互连（通常通过结构件实现,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素E）；
39）板间互连信号处理 interconnecting signal processing , ISP
产品内部PCB互连信号的处理，包括与EMI相关的信号频率处理和EMS相关的信号的滤波、防护,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素F，包括F1 和F2；
40）板间互连信号EMS处理 interconnecting signal processing for EMS, ISP-S
产品内部PCB互连信号的滤波、防护,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素F1；
41）板间互连信号EMI处理 interconnecting signal processingfor EMI , ISP-I
产品内部PCB互连信号的频率处理,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素F2；
42）金属部件搭接 Metal plate bonding , MPB
壳体中各个金属部件之间的搭接（考虑阻抗与缝隙处理）方式,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素G；
43）电路板接地环路 PCB Grounding loop, PGL
进入壳体后的电缆、连接器、PCB(可能有)、PCB板的“0 V”工作地与金属壳体之间的互连及产品金属壳体之间所组成的回路面积, ,GB/T38659.12020中定义的风险要素H；
44）壳体接地线 Chassis grounding, CG
壳体接地线, GB/T38659.1 2020中定义的风险要素I。
45）“脏”信号处理 “dirty” signal processing ,DSP
那些容易被外部干扰注入或产生电磁发射的信号或元器件的信号/电路的处理,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素J
注：例如：与I/O电缆互连并处在滤波电路之前的信号线和元器件；被施加于产品壳体表面的ESD击穿放电的信号线。
46）特殊信号处理 Special signal processing ,SSP
那些因EMC性能而需要特殊处理的信号或元器件的信号或电路的处理, 包括噪声信号/电路处理和敏感信号/电路处理， GB/T38659.12020中定义的风险要素K, 包括K1和K2；
注：分为特殊噪声信号/电路和特殊敏感信号/电路。
47）噪声信号处理 Noise signal processing，NSP
那些易产生电磁发射骚扰的信号或元器件的信号/电路的处理, GB/T38659.1 2020中定义的风险要素K1,。
注：例如：时钟信号线、 PWM信号线、晶振等。
48）敏感信号处理 Sensitive signal processing，SeSP
那些易被电磁干扰的信号和元器件的信号/电路的处理,GB/T38659.1 2020中定义的风险要素K2。
注：例如：低电平的模拟信号线或元器件。
49）“干净”信号处理 “clean” signal processing，CSP
那些既不容易受到干扰也不会产生明显EMI噪声的信号或元器件的信号/电路的处理, GB/T38659.1 2020中定义的风险要素L；
50）隔离地处理 Isolated ground processing, IGP
通过光耦、变压器等隔离器件隔离的工作地之间的处理，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素M;
51）“脏”- “干净”信号串扰 Crosstalk between dirty signal and clean signal , C-DC
通过特定的处理方式避免脏信号与干净信号的串扰发生，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素N;
52）“脏”- 特殊信号串扰 Crosstalk between dirty signal and Special signal , C-DS
通过特定的处理方式避免脏信号与特殊信号的串扰发生，包括“脏”- 敏感信号/电路区域的串扰防止和“脏”- 噪声信号/电路区域的串扰防止，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素O，包括O1和O2;
1.53）“脏”- 特殊敏感信号串扰 Crosstalk between dirty signal and Sensitivesignal , C-DS
通过特定的处理方式避免脏信号与敏感信号的串扰发生，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素O1;
54）“脏”- 特殊噪声信号串扰 Crosstalk between dirty signal and noise signal , C-DN
通过特定的处理方式避免脏信号与噪声信号的串扰发生，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素O2;
55）特殊– “干净”信号串扰 Crosstalk betweenSpecial signal and clean signal , C-SC
通过特定的处理方式避免特殊信号与干净信号的串扰发生，包括敏感 – “干净”信号/电路区域的串扰防止和噪声– “干净”信号/电路区域的串扰防止，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素P;
56）敏感 – “干净”信号串扰 Crosstalk between sensitive signal and clean signal, C-SC
通过特定的处理方式避免特殊信号与干净信号的串扰发生，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素P1;
57）噪声– “干净”信号串扰 Crosstalk between noise signal andclean signal, C-NC
通过特定的处理方式避免特殊噪声信号与干净信号的串扰发生，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素P2;
58）敏感 - 噪声信号串扰 Crosstalk between sensitive signal and noise signal , C-SN
通过特定的处理方式避免敏感信号与噪声信号的串扰发生，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素Q;
59）地平面完整性 Ground plane Stabilisation GPS
通过铺铜等手段实现完整的0V平面以降低地阻抗，包括EM相关的地平面完整性和EMI相关的地平面完整性，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素R，包括R1和R2;
60）EMS地平面完整性 Ground plane Stabilisation for EMS GPS-S
通过铺铜等手段因EMS原因而需要实现完整的0V平面以降低地阻抗，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素R2;
61）EMI地平面完整性 ground plane Stabilisation for EMI GPS-I
因EMI原因而需要实现完整的0V平面以降低地阻抗，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素R2;
62）边缘处理 Layer Edge processing LEP
通过铺铜或屏蔽地线的手段减小布置在PCB边缘的印制线或电源层与参考地之间的容性耦合,包括EMS相关信号层和电源层的边缘处理和EMI相关信号层和电源层的边缘处理，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素S，包括S1和S2;
63）EMS相关边缘处理Layer Edge processing LEP-S
因EMS原因而需要的通过铺铜或屏蔽地线的手段减小布置在PCB边缘的印制线或电源层与参考地之间的容性耦合，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素S1;
64）EMS相关边缘处理Layer Edge processing LEP-I
因EMI原因而需要的通过铺铜或屏蔽地线的手段减小布置在PCB边缘的印制线或电源层与参考地之间的容性耦合，GB/T38659.1 2020中定义的风险要素S2;
本文转载自： EMC密码（作者：Norman）
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