MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的?
cathy -- 周二, 11/03/2020 - 13:30我们应该都清楚,MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层,因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD,沟道未形成时,漏源之间也有一个寄生电容CDS,所以考虑寄生电容时,MOSFET 的等效电路就成了图 2 的样子了。
我们应该都清楚,MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层,因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD,沟道未形成时,漏源之间也有一个寄生电容CDS,所以考虑寄生电容时,MOSFET 的等效电路就成了图 2 的样子了。
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1.绝对最大额定值
本视频将向您介绍Vishay TrenchFET 第四代顶侧双面冷却MOSFET的内容。
碳化硅(SiC)功率MOSFET受到很多关注,因为它们既可以快速开关,又能同时保持高阻断电压。但是它们出色的开关特性也伴随潜在的缺点。由不理想的电路板布局引起的寄生电感,以及碳化硅MOSFET的快速dv/dt和di/dt质量,可能产生电压和电流过冲、开关损耗和系统不稳定性问题。为了避免这些困难,设计人员必须深入了解碳化硅MOSFET的开关特性。
作者:高杨
作者:高杨
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第一种:雪崩破坏
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。
MOSFET栅极驱动调整电路:R16、R17、R18、D17
俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师,在项目开始之前、器件选型之初,就要做好充分考虑,选择最适合自己需要的器件,才能保证项目的成功。