MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的？
cathy -- 周二, 11/03/2020 - 13:30
我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS，所以考虑寄生电容时，MOSFET 的等效电路就成了图 2 的样子了。
MOSFET
贸泽开售Microchip AgileSwitch相臂功率模块，兼具SiC MOSFET与二极管之长
cathy -- 周四, 10/15/2020 - 14:17
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新
【好详细】理解MOSFET的每个特性参数的分析！
cathy -- 周四, 03/19/2020 - 13:42
1.绝对最大额定值
视频：Vishay TrenchFET 第四代顶侧双面冷却MOSFET
cathy -- 周五, 02/28/2020 - 13:36
本视频将向您介绍Vishay TrenchFET 第四代顶侧双面冷却MOSFET的内容。
玩转SiC功率MOSFET之前，这些知识点你必须掌握！
cathy -- 周一, 02/03/2020 - 16:37
碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们既可以快速开关，又能同时保持高阻断电压。但是它们出色的开关特性也伴随潜在的缺点。由不理想的电路板布局引起的寄生电感，以及碳化硅MOSFET的快速dv/dt和di/dt质量，可能产生电压和电流过冲、开关损耗和系统不稳定性问题。为了避免这些困难，设计人员必须深入了解碳化硅MOSFET的开关特性。
深入理解功率MOSFET数据表(下)
cathy -- 周五, 10/18/2019 - 14:07
作者：高杨
深入理解功率MOSFET数据表(上)
cathy -- 周二, 10/15/2019 - 14:21
作者：高杨
在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全，只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。
功率MOS管的这五种损坏模式，你知道几种？
cathy -- 周四, 07/11/2019 - 13:54
第一种：雪崩破坏
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
主要部件选型：MOSFET栅极驱动调整电路
cathy -- 周二, 07/09/2019 - 09:33
本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。
MOSFET栅极驱动调整电路：R16、R17、R18、D17
MOSFET器件选型，你需要掌握的3大法则！
cathy -- 周三, 06/26/2019 - 14:00
俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师，在项目开始之前、器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。