如何处理MOS管小电流发热？听听大牛工程师怎么说~
cathy -- 周五, 03/12/2021 - 16:28
穿通击穿一般不会出现破坏性击穿。因为穿通击穿场强没有达到雪崩击穿的场强，不会产生大量电子空穴对。
MOS管
终于讲透了，开关电源MOS开关损耗推导过程！
cathy -- 周四, 03/11/2021 - 17:08
电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，开关mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所以有部分人对于它计算还有些迷茫。
解决MOS管小电流发热，就看这一招！
cathy -- 周二, 01/26/2021 - 17:44
01、MOSFET的击穿有哪几种？
Source、Drain、Gate
场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G
（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）
带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」
cathy -- 周一, 09/14/2020 - 17:12
我们打开一个MOS管的SPEC，会有很多电气参数，今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。
热阻，英文Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。
半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。
结到空气环境的热阻用ThetaJA表示，ThetaJA = (Tj-Ta)/P
其中Tj为芯片结温，Ta为芯片环境温度，如下图所示。
还有一些其他的热阻参数如下：
ThetaJC=(Tj-Tc)/P，结到封装外壳的热阻，一般而言是到封装顶部的热阻，所以一般的，ThetaJC=ThetaJT
ThetaJB=(Tj-Tb)/P，结到PCB的热阻。
臭名昭著的MOS管米勒效应
cathy -- 周四, 09/10/2020 - 17:26
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。
首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？
带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？
10分钟详细图解MOS管的结构原理
cathy -- 周一, 05/11/2020 - 13:42
什么是MOS管
如何快速查找MOS管的损坏原因？
cathy -- 周二, 02/25/2020 - 17:24
Q：什么原因会导致MOS管损坏？
A：导致MOS管损坏的主要原因可总结为五种：雪崩破坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生震荡导致的破坏以及因栅极电涌、静电造成的破坏。
第一种：雪崩破坏
电路设计中三极管和MOS管做开关用时有什么区别？
cathy -- 周三, 08/21/2019 - 14:13
我们在做电路设计时，三极管和MOS管做开关用时有什么区别？
工作性质：
1、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。
2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：MOS管常用于电源开关，以及大电流开关电路。
功率MOS管的这五种损坏模式，你知道几种？
cathy -- 周四, 07/11/2019 - 13:54
第一种：雪崩破坏
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
MOS管为什么失效？离不开这六大原因
cathy -- 周二, 04/30/2019 - 17:45
MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写，或称金属绝缘体半导体。MOS管的源极和漏极是可以对调的，他们都是在P型衬底中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件性能。所以这样的器件是对称的。