场效应管英文缩写为FET(Field-effect transistor),是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。场效应管也是一种晶体三极管,也有三个极,分别叫源极S,栅极G,漏极D。
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由于根据使用的场合要求不同,场效应管种类繁多,特性也都不尽相同。
场效应管的主要作用:
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管的放大器输入阻抗很高,因此可以使用容量较小的耦合电容器,不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
我们在MPN中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用,所以需要通过电流比较大,所以是使用比较特殊的一种制造方法做出增强型的场效应管(MOS型)。它的电路图符号:
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仔细看看你会发现,这两个图是有差别的。这实际上是两种不同的增强型场效应管,第一个叫N沟道增强型场效应管,第二个叫P沟道增强型场效应管,它们的的作用是刚好相反的。前面说过,场效应管是用电控制的开关,那么我们就先讲一下怎么使用它来当开关用。从图中我们可以看到它也像三极管一样有三个脚,这三个脚分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。MPN中的贴片元件示意图如下图:
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1脚就是栅极,这个栅极就是控制极,在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与不相通,N沟道增强型场效应管在栅极加上电压2脚和3脚就通电了,去掉电压就关断了,而P沟道增强型场效应管刚好相反,在栅极加上电压就关断(高电位),去掉电压(低电位)就相通了。
本文转载自:今日头条(版主:硬件电路基础)
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