三、元器件设计
例:Flyback主电路中哪些元器件需要我们设计?
① 计算电路工作参数。输入、输出电压
② 运行参数。开关频率、最大占空比
③ 变压器。
④ 开关管-电压,电流
⑤ 副边二极管-电压、电流
⑥ 输出滤波电容
⑦ 吸收电路
设计步骤
(一)、确定输入直流母线的电压变化范围:
1)随输入变化范围
2)每个工频周期内电压变化
(二)、设计开关频率fs,最大占空比Dmax=0.45
• 按照要求设定开关频率
• 根据输入功率,并假定最低电压最大占空比,刚好临界连续,然后确定电感峰值电流
Pinmax=Pomax/efficiency
Iavgmax=Pinmax/VDCmin
Ipeak=2*Iavgmax/D
(三)、设计反激变压器
– 根据最大峰值电流,确定原边电感量
Pinmax=0.5*Lm*Ipeak2*fs
– 根据经验,选定磁芯尺寸,计算原边匝数。
Np=(Lm*Ipeak)/(Ae*Bmax)
Ae是磁芯截面积;Bmax是设计的最大磁通密度。
– 根据电感量和匝数,设计气隙。
– 根据原边开关管的额定电压选择合适的匝比。为了获得较好的副边交叉调整率,有时候需要调整变压器原边的匝数。
例:副边Vo1:Vo2=5:3
初步计算得到:Ns1=3,Ns2=1.8;如果Ns2取2匝,则调整率可能比较差。于是,修改副边匝数,Ns1=5,Ns2=3。
(四)、开关管选择:功率MOSFET
• 开关管电压应力:
例:原边选择650V的MOSFET,则原边的开关管的电压应力不应超过600V。
于是计算最大应力:
Vpmax=VDCmax+(Vo+Vdrop)*Np/Ns+60V
• 开关管电流应力:
– 计算变压器原边的最大电流
一般情况下:Vo*N
考虑,原边开关管的应力,副边二极管的电压应力,最大占空比三者折衷。
(五)、副边二极管的选择:
– 快恢复二极管
– 计算二极管的耐压
VD=(Vdcmax*Ns/Np+Vo)*1.3
(六)、输出滤波电容的选择:
根据电流/电压应力,纹波要求,选择电解电容。
(七)、RCD 吸收电路
• 考虑问题点:
1)吸收效果
2)损耗尽可能小
吸收效果与损耗之间折衷!
不仅对FLYback,所有存在R的吸收电路都同样的设计原则。
损耗估算方法:
1)Psnuber=Vc2/R
◆MOSFET关断时,当Vds超过RCD缓冲电路中的电容两端的电压VSN时,缓冲二极管导通.尖峰电流被RCD电路吸收,从而削减了尖峰电流. 缓冲电容一定要足够大,才能保证在一个开关周期内电容两端的电压没有显著变化.但是吸收电容太大,也会增加缓冲电路的损耗。必须折中。
◆吸收电路消耗的电能可由下式计算得。则取电阻为3W的功率电阻,其阻值和电容值可由软件计算得,如下图
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