氮化镓（Gallium Nitride，简称GaN）是一种化合物半导体材料，由镓（Ga）和氮（N）元素组成。它具有一些重要的电子特性，使其在电子器件和半导体应用中具有广泛的用途。
总的来说，氮化镓是一种具有出色电子性能和热性能的半导体材料，广泛应用于高性能电子器件和半导体行业中。随着技术的不断进步，预计其在各种领域中的应用将继续扩展。
本视频将向您介绍英飞凌CoolGaN™氮化镓HEMT的内容。
作者：Silicon Labs高级产品经理John Wilson和Transphorm技术营销高级总监Philip Zuk
作者： Ahmad Bahai，德州仪器（TI）公司首席技术专家
我们可以想象一下：当你驾驶着电动汽车行驶在马路上，电动车充电设备的充电效率可以达到你目前所用充电效率的两倍；仅有一半大小的电机驱动比目前应用的效率更高；笔记本电脑电源适配器小到可以放进口袋。
作者：贸泽电子 Bill Schweber
相较于先前使用的硅晶体管，氮化镓（GaN）可以让全新的电源应用在同等电压条件下以更高的开关频率运行。这意味着在相同条件下，GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。
解锁氮化镓GaN技术的多种应用
与开关模式电源不同，三相电机驱动逆变器通常使用低开关频率；只有几万赫兹。大功率电机尺寸较大，具有高电感绕组；因此，即使在低开关频率下，电流纹波也是可以接受的。随着电机技术的进步，功率密度增加；电机的外形尺寸变小，速度更快，需要更高的电频率。