CMOS

1、引言

随着汽车、医疗、机器视觉、安全、可穿戴系统，虚拟和增强现实应用以及用户识别界面中的新嵌入式摄像机和数字成像应用的发展，CMOS图像传感器新一轮强劲增长已经开始， IC Insights预测，2018年全球CMOS图像传感器的销量将连续第八年创下新高。预计到今年年底，CMOS图像传感器销售所带来的收入将会比2017年增长约10%，达到137亿美元。

简介

ADG9xx CMOS宽带开关主要设计用来满足工业、科研和医用(ISM)频段 (≥900 MHz) 信号发射器件的要求。这些器件具有低插入损耗、高端口间隔离度、低失真和低功耗等特性，因而是要求低功耗且能够处理发射功率 (最高达16 dBm) 的许多高频应用的理想解决方案。典型应用包括高速滤波和数据路由。

本视频将展示我们采用RF CMOS技术的DIGIMIMIC解决方案性能。

CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题，即输入端有多余的，如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作？

一、CMOS门电路

对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。

静电

推动高能效创新的安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ON）推出一款新的1/4英寸 1.0Mp（1280H x 800V）CMOS 数码图像传感器，实现领先行业的性能水平。这款新的传感器能捕捉清晰准确的图像，在明亮和微光条件下均不会有伪影。它的高快门效率和信噪比充分降低重影和噪音干扰，提高了整体图像品质。

完整的宽带解决方案，涵盖26 GHz至44 GHz范围内的所有无线电设计。这款完整的信号链采用高度集成的宽带高性能部件，可减少元件数量，简化设计架构，加快产品上市速度。

静电放电会给电子器件带来破坏性的后果,它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,CMOS电路的特征尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,而外围的使用环境并未改变,因此要进一步优化电路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。