硬件电路设计

本文主要介绍晶体的负载电容及计算方法，及其硬件设计。

1、负载电容

晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。是指晶振要正常振荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑IC输入端的对地电容。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。负载电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。

2、计算方法

两个电容C_g、C_d（此电容称为Trim电容（Trimmer Capacitor微调电容））通过地串联又与晶振并联，并与其他杂散电容并联。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶体，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联谐振频率（低负载电容的晶振）；另一个为并联谐振频率（高负载电容的晶振）。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致，否则会造成电器工作不正常。
一般选择Cg、Cd值要比其他杂散电容高8~10倍，来减少杂散电容影响。一般IC引脚杂散电容约为2~3pF。