场效应管英文缩写为FET（Field-effect transistor），是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G，漏极D。
由于根据使用的场合要求不同，场效应管种类繁多，特性也都不尽相同。
场效应管的主要作用：
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管的放大器输入阻抗很高，因此可以使用容量较小的耦合电容器，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
我们在MPN中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以是使用比较特殊的一种制造方法做出增强型的场效应管（MOS型）。它的电路图符号：
仔细看看你会发现，这两个图是有差别的。这实际上是两种不同的增强型场效应管，第一个叫N沟道增强型场效应管，第二个叫P沟道增强型场效应管，它们的的作用是刚好相反的。前面说过，场效应管是用电控制的开关，那么我们就先讲一下怎么使用它来当开关用。从图中我们可以看到它也像三极管一样有三个脚，这三个脚分别叫做栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。MPN中的贴片元件示意图如下图：
1脚就是栅极，这个栅极就是控制极，在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与不相通，N沟道增强型场效应管在栅极加上电压2脚和3脚就通电了，去掉电压就关断了，而P沟道增强型场效应管刚好相反，在栅极加上电压就关断（高电位），去掉电压（低电位）就相通了。
本文转载自：今日头条（版主：硬件电路基础）
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
