贸泽电子与Transphorm宣布签订全球分销协议

贸泽电子(Mouser Electronics)与制造商Transphorm签订了全球分销协议。Transphorm主要制造面向高电压功率转换应用的高品质、高可靠性氮化镓(GaN)晶体管。按照协议要求,贸泽将分销Transphorm通过JEDEC与AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及相关的评估工具。

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贸泽的供应商管理部门副总裁Kristin Schuetter表示:“我们很高兴能够代理Transphorm的产品。Transphorm的创新型高性能GaN晶体管和评估平台性能出众,可以为在各种垂直市场开发高电压功率转换应用的设计师和制造商提供很大的优势。”

Transphorm的全球技术营销兼北美销售副总裁Philip Zuk则表示:“作为高品质、高可靠性GaN器件的制造商,我们很高兴加入贸泽的全球供应商行列。这份协议为我们提供了一个极好的机会,有助于将我们业界口碑极佳的GaN技术带给贸泽庞大的客户群。我们期待着与贸泽团队合作,为致力于开发下一代电力系统的客户提供大力支持。”

贸泽电子供应的Transphorm 900V GaN FET采用TO-220封装,650V GaN FET采用TO-247和TO-220封装,并且同时使用高电压GaN HEMT与低电压MOSFET技术。这些器件具有低交叉损耗,同时降低了栅极电荷和反向恢复电荷,与碳化硅(SiC)FET有相似的场可靠性,与硅MOSFET相比性能更加出色。与竞争对手的GaN器件相比,Transphorm的FET还提供4V阈值电压,栅极稳健性额定值为±20V。

Transphorm的汽车级GaN FET包括TPH3205WSBQA和TP65H035WSQA,前者是业界首个通过AEC-Q101认证的GaN解决方案,而后者是业界首个能够在175°C温度下运行的AEC-Q101认证器件。和非汽车应用一样,与类似的硅基解决方案相比,使用650V GaN FET的车载动力系统可以将功率密度最高提升40%,将总体系统成本最多降低20%。

Transphorm的GaN FET与开箱即用的栅极驱动器配合使用,可同时提高硬开关和软开关电路的效率,并且便于驱动和设计。将其应用于AC-DC图腾柱无桥功率因数校正(PFC)时,GaN平台的优势(例如功率密度提高和系统成本降低)可以得到充分发挥。这些FET适用于广泛的工业、数据通信和汽车应用以及消费类计算电源系统和适配器。

另外贸泽还库存有Transphorm的相关评估平台,包括1.2kW和2.5kW半桥评估平台以及2.5kW和4kW无桥图腾柱PFC评估平台,可帮助设计师研究开关特性和效率。这些套件支持各种电力系统拓扑,包括逆变器、半桥降压或升压(通孔和SMD解决方案)以及图腾柱无桥PFC。它们还提供多种额定功率以支持各种应用。

有关详情,敬请访问:
https://www.mouser.cn/transphorm

关于Transphorm

Transphorm为高电压功率转换应用设计和制造极高性能、极高可靠性的650V和900V GaN半导体。Transphorm拥有阵容强大的知识产权产品组合(全球1000多项已发布和正在申请的专利),生产出了业界首款通过JEDEC和AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。其超强创新能力来自于垂直集成的业务方法,这种方法允许在设计、制造、设备和应用支持等各个开发阶段进行创新。Transphorm让电子设备超越了硅芯片的极限。有关公司详情,敬请访问:https://www.transphormusa.com

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