本文我们将介绍快闪存储器（Flash）家族家族，它属于非易失性存储器。Flash可以分为两大类：或非闪存器（NOR Flash）和与非闪存器（NAND Flash）。目前全世界做NOR Flash的公司主要有美光科技、旺宏、华邦、兆易创新等企业，而做NAND Flash的公司有三星电子、SK海力士、东芝、美光科技和长江存储。
NOR Flash原理介绍
NOR Flash的最大特点在于：程序可以直接放在NOR Flash上执行，无需放到RAM中执行。NOR Flash的结构图如下所示，可以看出NOR Flash存储单元的并联结构决定了其具有可独立寻址并且读取效率高的特性，因此适用于存储程序，而且程序可以直接在NOR 中运行（即具有RAM的特性）。
我们再看下NOR Flash的版图结构，其金属导线占据了较大面积，因此其存储密度低，无法适用于大容量存储，适合存储内容较少的执行代码，因此其常用作电脑的BIOS固件存储器。
NAND Flash原理介绍
NAND Flash的最大特点在于其具有高存储密度，被广泛应用于各种数字终端设备中。下图中的NAND Flash版图中，可以看出其串联结构极大降低了金属导线的面积，使其存储密度更高。
同时其结构如下所示，串联结构决定了NAND FLASH无法进行位读取，也就无法实现存储单元的独立寻址，因此程序不可以直接在NAND FLASH中运行，所以NAND FLASH是以Page为读取单位和写入单位，以Block为擦除单位。相比NOR Flash，其擦除和写入的速度也会更快。
从NOR Flash和NAND FLASH的历史中理解其特性
在1967年发明EEPROM之后，人们发现其擦写速度较慢，而且体积较大。因为每个EEPROM都需要配一个选择的MOS管，更多的是运用在单片机中来存储程序代码。而后来计算机中出现了存储少量固定可执行代码的需求，终于在1988年Intel发明了NOR Flash，不仅可以直接执行代码，而且读写以及擦除的速度更快，整体面积相比EEPROM还更小。
后来为了满足大数据量存储的需求，需要降低单位bit的成本，因此东芝在1989年发明了NAND Flash。而NAND Flash的最大特点就是高存储密度和低成本。虽然NAND Flash可以重复擦写的次数比NOR Flash要少，但是可以通过软件控制存储位置，利用其更高存储密度的特点，让每个位置被写的次数控制得均匀一些，这对延长存储器寿命具有重要作用。
产品需求的变化一直在激励着半导体存储器不断推陈出新，创造出更好的产品。可以说创新已经成为发展存储器的关键。
本文转载自：今日头条（作者：全民说芯）
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
