大多数的人已经了解了GaN在开关速度方面的优势，及能从这些设备中获得的利益。缩小功率级极具吸引力，而更高的带宽则是锦上添花！假设您拥有可使车速达到200英里/小时的汽车轮胎，但您的车只有60英里/小时的悬架、制动和转向系统，这时，我们需要的是GaN驱动程序，不仅可以处理速度和传播延迟，也可以帮助GaN设备自身优化。这些驱动程序也有利于提高GaN设备的易用性，并助力电源设计人员完成高性能的设计，减少迭代。
通过TI易于使用的集成型可靠GaN解决方案实现世界级功率密度。
为何使用GaN？<>/strong
低输入和输出电容可降低硬开关转换器中的开关损耗，并在硬开关转换器和软开关转换器中实现更高的开关频率。
硬开关半桥转换器中具有接近零的反向恢复电荷损耗，因此可实现新的拓扑结构，如图腾柱 PFC。
大幅减少的开关损耗可缩短过渡期，并带来更快的开关速度，同时减少或取消散热器。
下载氮化镓与硅4白皮书：氮化镓与硅4白皮书
GaN 解决方案系列提供丰富的硬件资源和书面培训，可使客户方便地评估和使用 GaN。
便捷的硬件开发板（例如 LMG3410-HB-EVM 和 LMG34xx-BB-EVM）为 TI 高电压 GaN 提供了一套快速入门工具套件
灵活易用的 LMG5200EVM 可评估众多不同直流/直流转换器拓扑中的性能
详尽的应用手册和模型
Power house 博客和 GaN E2E 论坛提供专业知识
查看所有GaN工具和资源：GaN工具和资源
德州仪器 (TI) 作为半导体技术行业的领导者，长期向市场推出可靠的半导体产品，其中包括铁电随机存取存储器 (FRAM) 等非硅技术，并在这些方面拥有丰富经验。我们提供 GaN 相关鉴定方法和应用相关测试，因此非常适合向市场推出可靠的 GaN 产品。
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TI 致力于通过发展 GaN 生态系统来支持新的和独特的拓扑结构，从而减少应用障碍：
* LMG3410 为集成了 600V 驱动器的 GaN FET 功率级
* TPS53632G 是一种专为 48:POL 应用中的 GaN 优化的模拟控制器
* UCD3138a 通过 TI GaN 支持效率高达 99% 的 PFC 图腾柱拓扑
* LM5113 驱动器可实现分立式 GaN FET 解决方案
从研发到商业化的应用，GaN的发展已是当下最具颠覆性的技术创新。现在是一个追求产品效能的时代，传统的以硅为主要材料的功率半导体，正渐渐面临发展瓶颈，而具有比硅更低导通电阻以及更高切换速度的GaN（氮化镓）正逐渐成为万众瞩目的焦点。
