据外媒报道，英特尔日前在业绩电话会议上透露，为了进一步探索芯片生产工艺，公司将在今年建立一座7nm试验工厂。这座工厂虽然产能有限，但却为未来7nm芯片的生产奠定了基础。
“这条试验生产线是为了搞清楚如何进行芯片的量产。”MercuryResearch首席分析师DeanMcCarron说道，“一旦确定了制作工艺，其他的工厂就会进行复制。”英特尔表示，他们将试图凭借着7nm工艺回到2年生产周期，同时使用更智能的芯片设计。
英特尔介绍，7nm工艺将为芯片带来更大的设计变化，使其变得更小也更节能。英特尔计划使用奇特的III-V材料(比如氮化镓)来进行芯片生产，在提高性能速度的同时实现更长续航。
台积电与三星今年均在努力提高 10 纳米制程良率，不过一般认为 10 纳米只是过渡，7 纳米才是主战场，包含 AMD、Nvidia 等大客户此前均曾暗示跳过 10 纳米、直接晋升 7 纳米，而台积电、三星还要等到 2018 年才会开始试产 7 纳米制程。
英特尔拥有最先进的晶圆厂，长久以来，英特尔一直都是芯片制造技术的领头羊，直至近几年才被亚洲后辈超前，但无论如何姜还是老的辣，看来英特尔已准备好抢回领先位置。
不过制程微缩越精细越难生产，因此 7 纳米初期的良率应该不会太好，预料英特尔刚开始只会少批量试作样本，借以了解制程瓶颈，并作为改进良率的依据。英特尔目前也还没公布 7 纳米产品的时间表，实际量产还有待后续追踪。
英特尔介绍，7nm工艺将为芯片带来更大的设计变化，使其变得更小也更节能。英特尔计划使用奇特的III-V材料(比如氮化镓)来进行芯片生产，在提高性能速度的同时实现更长续航。
此外，英特尔还希望利用7nm去缓解他们在14/10nm处理器上遇到的一些挑战。据悉，他们将会在生产中引入极紫外线(EUV)工具，来帮助进行更加精细的功能蚀刻。但在此之前，这项技术的实装已经被延期数次。
英特尔的试验工厂将会测试7nm芯片生产工艺。虽然他们并未提及会在何时开始这种芯片的量产，但至少不会在未来2-3年内。
目前，包括Globalfoundries和三星在内的芯片厂商也开始了在7nm工艺上的探索。Globalfoundries表示，他们将在2018年开始7nm芯片的生产，ARM也发布了7nm芯片的设计工具。但目前我们并不清楚Globalfoundries是否会进行7nm芯片的测试生产，还是直接开始大批量生产。
来源：21IC
