selina的博客

某些使用外置SDRAM 的STM32应用客户反映其产品在EMC测试中，存在由于SDRAM信号导致辐射干扰超标的问题。在终端产品中如果不能用机壳屏蔽辐射干扰，那么这类问题往往需要通过修改SDRAM信号的PCB设计来解决。
这里针对SDRAM的PCB应用设计中如何改善辐射干扰问题做个概述，抛砖引玉，以供参考。

PCB设计中的SDRAM辐射干扰对策

SDRAM由于其工作在较高的频率，具有较陡的上升沿和下降沿，因此在PCB设计中有必要将其信号走线按高速信号传输线来处理，通常要注意下面的一些基本原则:

1.保持SDRAM信号的完整性

SDRAM信号的失真将进一步拓宽信号的辐射频谱，从而带来更严重的辐射问题，因此必须注意SDRAM信号完整性设计。

--- 推荐使用4层或更多层板将SDRAM信号的特性阻抗控制在50欧姆，尽可能减少过孔在SDRAM总线上的使用，保持阻抗的连续性，减少由阻抗不连续导致的信号反射；

--- SDRAM信号走线间距应遵循3W原则，两根走线中心间距尽可能保持至少3倍线宽， 可以减少因为信号间窜扰而导致的信号失真；

1.物联网正在创造巨大的商业机会。

预计到 2020 年，物联网 (IoT) 将创造出价值 1.7 万亿美元的市场，您难道愿意错过如此好的机遇吗？物联网设备和组件为设备制造商和企业提供了推进新业务模式开发的平等机会。请务必运用能够改变您的未来的产品组合和合作伙伴关系，重新思考并重新构建适用于互联设备世界的业务战略。

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3.IoT 正在改变各行各业。

你知道怎么给手机充电么？相信看到这个问题绝大多数人会嗤之以鼻，认为这也叫问题么，三岁孩子都知道用充电线插上就能充电。的确手机充电的操作非常简单，但我敢说真正了解充电细节和使用安全的人不算太多。

为什么这么说？虽然我们使用的手机电池主要还是锂电池，但技术已经革新换代多次，现在的电池与最早一代锂电虽然原理相似，但实际差别非常大，尽管这些变化主要是技术和安全层面，但折射到消费者使用过程当中也有很多注意事项或者没有宣传到的误区，今天我们就来聊聊手机锂电池。

充放电的几个误区

1、前三次要充12小时？

在手机刚刚流行的年代，有着很流行的保护电池的做法，比如刚新买的手机要长时间充电几次，要保证电池完全激活，这样才会用的长久。而且手机电池一定要用完才能再次充电，一次充电要充满以免出现寿命降低的现象。这些说法是非常流行的，相信大家还都有印象。

这里我们简单说说为什么会有这样的说法，所谓前几次充电时间尽量加长是坊间传闻手机充电第一次已经要超过12个小时，反复三次，来激活手机，这种说法实际上是一众误传，我们之前已经辟谣过了，即便是早期锂电池也与镍镉或镍氢电池的充放电特性不同。

Bosch Sensortec 的自助教程小课堂终于开讲了！ 下面，就跟随我们的专家Kevin，一起来学习如何校准绝对定向传感器BNO055. 详见下方视频！

BNO055

BNO055是我们应用特定型ASSNs展品系列的新产品。是一款系统级封装（SiP）解决方案，集成了一个三轴14位加速度计，一个三轴16位陀螺仪，一个三轴地磁传感器和一个32位Cortex M0+微控制器。

其封装尺寸只有3.8 x 5.2 x 1.13mm³，明显小于可比较的同级解决方案。通过将传感器和传感器融合功能集成到单个设备中，BNO055可以简化客户的集成过程，使其免受复杂的多供应产品的烦恼，从而使得他们可以花费更多时间在产品创新上。它是可穿戴，增强现实，个人健康，健身，室内导航和任何其他需要上下文感知的应用程序的完美选择。

设计师们通常使用0至20-mA和0到10V的隔离输入作为工业应用控制的信号。由隔离电源、AnalogDevicesAD7400调制器内置隔离及TexasInstrumentsMSP430微控制器共同为工业设计师要求的一种完整、隔离且牢靠的模拟信号接口创建一种设计。其中精确的信号调节电路生成AD7400所需的较小的差分电压(图1)，该电路可生成所需的200-mV差分电压。为清晰起见，图中略去了过压二极管和保护电路。

0至20-mA电流通过一个适当值的电阻R2转换成电压，进入一个精密的运算放大器中。在放大器的正向输入端维持恒定的电压，从而使连接到负向输入的信号电平得到正向偏移。0至10V的信号，如来自于电位器的信号，也相应地按照0至20-mA信号那样比例变换成类似电压，并被累加到AnalogDevicesOP1177放大器IC1的负端子中。

浮空，顾名思义就是浮在空中，上面用绳子一拉就上去了，下面用绳子一拉就沉下去了。

开漏,就等于输出口接了个NPN三极管,并且只接了e、b、c极 是开路的,你可以接一个电阻到3.3V,也可以接一个电阻到5V,这样在输出1的时候,就可以是5V电压,也可以是3.3V电压了。但是不接电阻上拉的时候,这个输出高就不能实现了。

推挽,就是有推有拉,任何时候IO口的电平都是确定的,不需要外接上拉或者下拉电阻。

（1）GPIO_Mode_AIN 模拟输入
（2）GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空输入
（3）GPIO_Mode_IPD 下拉输入
（4）GPIO_Mode_IPU 上拉输入
（5）GPIO_Mode_Out_OD 开漏输出
（6）GPIO_Mode_Out_PP 推挽输出
（7）GPIO_Mode_AF_OD 复用开漏输出
（8）GPIO_Mode_AF_PP 复用推挽输出