NXP MRFX1K80射频功率LDMOS晶体管将高射频输出功率与卓越的坚固结构和热性能完美结合。 MRFX1K80晶体管设计用于在65V CW（连续波）时提供1800W功率，适用于1MHz到470MHz的应用，并且能够处理65:1的电压驻波比(VSWR)。
MRFX1K80射频功率LDMOS晶体管可耐受较高电压，因此能够实现更高的输出功率，从而有助于减少采用的晶体管数量、简化功率放大器的复杂性并减小其尺寸。 借助这种耐高压特性，还可降低系统中的电流，从而限制直流电源上的应力并减小磁辐射。
另外，MRFX1K80还与前一代NXP LDMOS晶体管引脚对引脚兼容，可让射频设计人员重复使用现有的印刷电路板(PCB)设计，以缩短产品上市时间。
MRFX1K80射频功率LDMOS晶体管有两种封装类型可供选择。 MRFX1K80H采用NI-1230气腔型陶瓷封装，具有0.09ºC/W的低热阻。MRFX1K80N采用OM-1230超模压塑料封装，热阻通常会低30%。
