Texas Instruments LMG5200 80V GaN半桥功率级借助增强模式氮化镓 (GaN) FET提供了一套集成功率级解决方案。 该器件包含两个80V GaN FET，它们采用半桥配置并由一个高频GaN FET驱动器驱动。 GaN FET在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容CISS也非常小。 所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。 该器件的输入与TTL逻辑兼容，并且无论VCC电压如何，最高都能够承受12V的输入电压。 专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaN FET的栅极电压处于安全的工作范围内。
